[发明专利]DRAM中一种减少电压端口的电路及方法有效
| 申请号： | 201410522235.7 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104318952B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 贾雪绒 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;H03K19/0175 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 杨引雪 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及DRAM中一种减少电压端口的电路，包括内部电压检测模块用于在互补开关的触发下，将DRAM芯片的内部电压传输给电压端口进行检测；外部电压置入模块用于通过电压端口、互补开关接收电压；互补开关以及电压端口；用于接收内部电压检测模块的输出的检测电压，或将外部电压通过互补开关送入外部电压置入模块。解决了现有DRAM中做外部置入的电压端口多，给前端测试卡的设计带来难度的技术问题，本发明通过分时复用的办法，实现了一个电压端口既能实现内部电压检测，又能实现外部电压置入的功能，大大减少了DRAM芯片中电压端口的数目，降低了测试卡的设计复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | dram 一种 减少 电压 端口 电路 方法 | ||
【主权项】：
DRAM中一种减少电压端口的电路，其特征在于：包括内部电压检测模块：用于在互补开关的触发下，将DRAM芯片的内部电压传输给电压端口进行检测；外部电压置入模块：用于通过电压端口、互补开关接收外部电压；互补开关：接收一组互补使能信号tmvmon和tmvmon_n，根据所述互补使能信号将内部电压检测模块或外部电压置入模块与电压端口连通；以及一个电压端口；用于接收内部电压检测模块的输出的检测电压，或将外部电压通过互补开关送入外部电压置入模块；所述外部电压置入模块包括逻辑控制电路以及内部电压网络选通电路，所述逻辑控制电路的输入端接逻辑信号，所述逻辑控制电路输出选通信号，所述内部电压网络选通电路包括多个并联的MOS管，所述多个并联的MOS管的源端接内部电压网络，栅端接所述选通信号，漏端接所述互补开关的源端。
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