[发明专利]一种大直径区熔硅单晶的去应力退火的方法在审
| 申请号： | 201410523160.4 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104278328A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王彦君;王刚;张雪囡;乔柳;韩璐;由佰玲;李帅;邬丽丽 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 杨慧玲 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大直径区熔硅单晶的去应力退火的方法，包括(1)腐蚀、冲洗、烘干：将硅单晶用硝酸和氢氟酸进行腐蚀，用去离子水冲洗后烘干；(2)浸泡：将硅单晶放入纯水：HCl：H2O2＝8：1：1溶液中浸泡；再放入五氧化二磷溶液中浸泡；(3)晾干：自然晾干；(4)入炉：将步骤(3)得到的单晶硅放在石英舟中，入热处理炉；(5)通气：向炉内通入氮气；(6)退火。本发明的退火方法，能够有效去除大直径硅单晶在生长过程中形成的热应力，有效改善硅单晶在后道机械加工时出现的炸裂和崩边问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 区熔硅单晶 应力 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种大直径区熔硅单晶的去应力退火的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)腐蚀、冲洗、烘干：将硅单晶用硝酸和氢氟酸进行腐蚀，用去离子水冲洗后烘干；(2)浸泡：将硅单晶放入纯水：HCl：H2O2＝8：1：1溶液中浸泡；再放入五氧化二磷溶液中浸泡；(3)晾干：自然晾干；(4)入炉：将步骤(3)得到的单晶硅放在石英舟中，入热处理炉；(5)通气：向炉内通入氮气；(6)退火：退火的温度为750℃，恒温4h，缓升缓降温。
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