[发明专利]具有高性能热电性质的纳米结构有效
| 申请号： | 201410524397.4 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104392933B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 杨培东;A.马宗达;A.I.霍赫鲍姆;陈仁坤;R.D.德尔加多 | 申请（专利权）人： | 加州大学评议会 |
| 主分类号： | H01L21/441 | 分类号： | H01L21/441;H01L35/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于热电转换的装置，所述装置包含第一电极；第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的一个或多个纳米结构，所述一个或多个纳米结构中每个包括一个或多个半导体材料；其中所述一个或多个纳米结构中所述每个与所述第一电极和所述第二电极接触；所述一个或多个纳米结构中所述每个包括与平均表面粗糙度相关联的表面，所述粗糙度在从1nm到5nm的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 性能 热电 性质 纳米 结构 | ||
【主权项】：
一种热电装置，包含：第一电极；第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的一个或多个硅纳米线；其中所述一个或多个硅纳米线中的每个与所述第一电极和所述第二电极电接触并且具有范围从1nm到5nm的平均表面粗燥度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
