[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201410524737.3 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN104518065B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 成演准;丁圣勋 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/48 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种发光器件、发光器件封装和照明设备,所述发光器件包括:衬底;光提取层,布置在衬底上,该光提取层具有的折射率高于衬底的折射率并低于发光结构的折射率,并且包括接触衬底的第一区域和与第一区域相向布置的第二区域,第一区域具有比第二区域的横截面积大的横截面积;以及发光结构,布置在衬底和光提取层上,该发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及有源层。本发明的发光器件具有较高的光提取效率。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件,包括:衬底;光提取层,布置在所述衬底上,所述光提取层具的折射率高于所述衬底的折射率并低于发光结构的折射率;反射层,布置在所述光提取层与所述发光结构之间以覆盖所述光提取层并暴露各个相邻光提取层之间的衬底,以便将所述发光结构与所述光提取层分隔开;以及所述发光结构,被布置在所述衬底和所述光提取层上,所述发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及有源层,其中所述反射层直接接触所述光提取层和所述发光结构,其中所述光提取层包括布置在朝向所述发光结构的方向上的第一层和布置在朝向所述衬底的方向上的第二层,其中所述第一层设置在所述第二层和所述反射层之间以覆盖所述第二层,以便将所述第二层与所述反射层分离,以及其中所述衬底直接接触所述反射层、所述第一层和所述第二层。
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