[发明专利]电力供应装置有效

专利信息
申请号: 201410524915.2 申请日: 2014-10-08
公开(公告)号: CN104638893B 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 岩水守生 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩芳;金光军
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种电力供应装置,该电力供应装置包括能够将由于产生在电感性负载上的反电动势而引起的负电压浪涌有效地钳位在低的钳位电压的钳位电路。所述电力供应装置包括:输出用半导体元件,设置在电源线和输出端子之间,该输出用半导体元件被开关驱动以向连接到所述输出端子的电感性负载供应电力;钳位电路,以所述输出用半导体元件的动作基准电压为基准钳位由于反电动势而施加在所述电源线和输出端子之间的电压,其中,所述反电动势在所述输出用半导体元件截止时产生在所述电感性负载上。 1
搜索关键词: 电力供应装置 半导体元件 电感性负载 反电动势 输出端子 输出 钳位电路 电源线 钳位 动作基准 供应电力 开关驱动 钳位电压 负电压 有效地 浪涌 截止 施加
【主权项】:
1.一种电力供应装置,其特征在于,所述电力供应装置包括:

输出用半导体元件,设置在电源线和输出端子之间,该输出用半导体元件被开关驱动以向连接到所述输出端子的电感性负载供应电力;

钳位电路,以所述输出用半导体元件的动作基准电压为基准,钳位当所述输出用半导体元件截止时由于产生在所述电感性负载上的反电动势而施加在所述电源线和输出端子之间的电压,

所述输出用半导体元件为能够开关大功率的绝缘栅型半导体元件,

所述钳位电路包括:

开关用半导体元件,通过用来防止逆电流的二极管连接在所述绝缘栅型半导体元件的栅极和所述电源线之间;

动作电压设定用二极管,以所述绝缘栅型半导体元件的动作基准电压为基准,确定所述开关用半导体元件的导通动作电压。

2.根据权利要求1所述的电力供应装置,其特征在于,

所述输出用半导体元件由n沟道型功率MOSFET或IGBT构成,并且所述开关用半导体元件由n沟道型MOSFET构成。

3.根据权利要求1所述的电力供应装置,其特征在于,所述钳位电路还包括:

电阻,将所述绝缘栅型半导体元件的栅极电压下拉到所述输出端子的电压;

逆流保护用二极管,防止电流通过所述电阻逆流。

4.根据权利要求1所述的电力供应装置,其特征在于,所述钳位电路还包括:

第一控制用半导体元件,在所述电源线变为低电压时将所述开关用半导体元件从所述电源线断开;

第二控制用半导体元件,代替所述开关用半导体元件,通过钳位电压设定用二极管连接在所述绝缘栅型半导体元件的栅极和所述电源线之间。

5.根据权利要求4所述的电力供应装置,其特征在于,

所述第二控制用半导体元件在所述电源线变为低电压时,以所述电源线的电压为基准,将施加在所述电源线和输出端子之间的电压钳位在通过所述钳位电压设定用二极管设定的电压。

6.根据权利要求4所述的电力供应装置,其特征在于,

所述输出用半导体元件为n沟道型功率MOSFET或IGBT,

所述开关用半导体元件由n沟道型MOSFET构成,

所述第一控制用半导体元件和所述第二控制用半导体元件由p沟道型MOSFET构成并且被控制为互补地导通/截止。

7.根据权利要求1所述的电力供应装置,其特征在于,

所述输出用半导体元件为在其栅极上通过栅极电阻施加控制电压,从而进行导通/截止动作以开关大功率的绝缘栅型半导体元件,

所述绝缘栅型半导体元件包括当所述绝缘栅型半导体元件截止时,释放蓄积在所述绝缘栅型半导体元件的栅极上的电荷的放电电路,

所述钳位电路由二极管构成,该二极管设置在限定所述绝缘栅型半导体元件的动作基准电压的接地线和所述绝缘栅型半导体元件的栅极之间以钳位所述绝缘栅型半导体元件的栅极电压。

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