[发明专利]离子渗氮用大功率高频逆变脉冲电源及其工艺

摘要

本发明公开了一种离子渗氮用大功率高频逆变脉冲电源。它包括可控硅调压单元，IGBT高频变换单元，高频变压单元，真空炉体，电压调整控制器，PWM波控制单元。接入380伏的三相交流电经转换得到0-1000伏连续可调，频率20khz占空比0-90％连续可调的直流电。脉冲频率是现有的斩波电源的20倍，灭弧速度快达到微秒级(直流斩波电源的脉冲灭弧速度只能到毫秒级)该电源的最大的特点就是灭弧速度快，弧光点能量小，对零件表面不产生任何电弧损伤，并且可以有效的抑制“空心阴极效应”，对深孔氮化和盲孔氮化都能够有很好的效果，对于原来1千赫兹斩波电源无法完成的深孔和盲孔都能有效的表面渗氮。

主权项

一种离子渗氮工艺用大功率高频逆变脉冲电源，其特征在于：包括可控硅调压单元：由电压调整控制器控制，输入端与三相交流电源相连接，用于将三相380伏交流电转换成0‑500伏连续可调的直流电；IGBT高频变换单元：由单片计算机控制PWM波发生器控制，输入端与所述可控硅调压单元的输出端相连接；用于转换得到占空比从0‑90％连续可调的10khz矩形方波电压0‑500伏连续可调的交流电；高频变压单元：输入端与所述IGBT高频变换单元输出端相连接；用于转换得到占空比从0‑90％连续可调的10khz矩形方波电压0‑1000伏连续可调的交流电；高频直流脉冲整流单元：输入端与所述高频变压单元的输出端相连接；用于转换得到占空比从0‑90％连续可调的20khz矩形方波电压0‑1000伏连续可调的直流电；真空炉体：真空炉体外壳与所述高频直流脉冲整流单元阳极相连接并接地，真空炉体零件加工台面与所述高频直流脉冲整流单元相连接；电压调整控制器：用于控制所述可控硅调压单元的输出电压，检测可控硅实现所述可控硅调压单元输出0‑500伏连续可调的直流电；PWM波控制单元：用于控制所述IGBT高频变换单元，实现输出占空比从0‑90％连续可调的矩形方波。