[发明专利]具有死区时间拓扑结构的自驱动同步整流电路

摘要

一种具有死区时间拓扑结构的自驱动同步整流电路，其包括一耦接于变压器副边的整流电路，整流电路包括一用于加速关断驱动栅极的串联自驱动绕组L1和L2；耦接于所述自驱动绕组L1和L2的抽头处和加速关断栅极驱动电路间的高频通路电路；一控制所述高频通路电路信号的单向加速电路；一峰值电压吸收电路，其中，所述高频通路电路的开启时间不大于电路的死区时间。本发明通过在自驱动整流电路中添加一高频通路电路和单向加速通路二极管，提高了开关电源的工作效率，并且在死区时间，减小了MOS管的本体二极管的深度导通时间，从而降低了MOS管的温度，提高了MOS管的使用寿命，电源工作更稳定。

主权项

一种具有死区时间拓扑结构的自驱动同步整流电路，其包括一耦接于变压器副边的整流电路，其特征在于，所述整流电路包括：一用于加速关断驱动栅极的串联自驱动绕组L1和L2；耦接于所述自驱动绕组L1和L2的中心抽头处和加速关断栅极驱动电路间的高频通路电路，所述的高频通路电路包括：一电阻R04，以及并联于所述的电阻R04两端的电容C08，所述的电阻R04和电容C08共同组成RC网络；一控制所述高频通路电路信号的单向加速电路，所述单向加速电路包括二极管D3和二极管D4，所述二极管D3和二极管D4的正极连接于高频通路电路的输出端，负极均耦接于整流电路；一峰值电压吸收电路，所述的峰值电压吸收电路耦接于自驱动绕组两端，其中，所述高频通路电路的开启时间不大于电路的死区时间。