[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410526538.6 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104576711B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | E.巴赫尔;J.霍尔茨米勒;H-J.舒尔策;T.施魏因伯克;J.维特博恩;M.聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/266 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括半导体衬底。半导体衬底包括布置在半导体衬底的主表面的第一掺杂结构的多个第一掺杂区和布置在半导体衬底的主表面的第一掺杂结构的多个第二掺杂区。第一掺杂结构的多个第一掺杂区中的第一掺杂区包括具有不同掺杂浓度的第一导电类型的掺杂剂。另外，第一掺杂结构的多个第二掺杂区中的第二掺杂区包括具有不同掺杂浓度的第二导电类型的掺杂剂。第一掺杂结构的多个第一掺杂区中的至少一个第一掺杂区部分重叠第一掺杂结构的多个第二掺杂区中的至少一个第二掺杂区，使得重叠区布置在主表面。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 掺杂 衬底 半导体器件 半导体 主表面 掺杂剂 第一导电类型 导电类型 重叠区 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件实施用于扫描探针器件的校准的校准样本，所述半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底包括：第一掺杂结构的多个第一掺杂区，布置在半导体衬底的主表面，其中第一掺杂结构的多个第一掺杂区中的第一掺杂区包括具有不同掺杂浓度的第一导电类型的掺杂剂；第一掺杂结构的多个第二掺杂区，布置在半导体衬底的主表面，其中第一掺杂结构的多个第二掺杂区中的第二掺杂区包括具有不同掺杂浓度的第二导电类型的掺杂剂；以及至少一个填充对齐沟槽，布置在第一掺杂区或第二掺杂区的附近，其中所述至少一个填充对齐沟槽是光学可见的，使得能够容易找到所述第一掺杂区或第二掺杂区的位置，其中第一掺杂结构的多个第一掺杂区中的至少一个第一掺杂区部分重叠第一掺杂结构的多个第二掺杂区中的至少一个第二掺杂区，使得重叠区布置在主表面。
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