[发明专利]晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201410526588.4 申请日: 2014-10-09
公开(公告)号: CN104576529B 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 香西宏彦;服部笃 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;金玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种晶片的加工方法,可减少芯片的安装不良。在通过实施分割步骤来将晶片(W)分割成一个个芯片(C)之后,实施照射步骤,从而向芯片(C)的安装面(C1)照射紫外线或者等离子体来生成臭氧并生成活性氧,去除附着在芯片(C)的安装面(C1)上的有机物。除了在晶片(W)的处理中附着的异物以外,还可以从芯片(C)的安装面(C1)去除在分割时产生的异物,能够减少芯片(C)的安装不良。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,在晶片的正面的由交叉的多个分割预定线划分出的各区域内形成有器件,该器件的正面侧为安装到安装基板上的安装面,所述晶片的加工方法具有:粘贴步骤,在晶片的正面粘贴正面保护带,其中,在所述正面保护带的糊层内包含有分型剂;磨削步骤,在实施了该粘贴步骤之后,使用保持构件隔着该正面保护带保持晶片并磨削晶片的背面;剥离步骤,在实施了该磨削步骤之后,从晶片的正面剥离该正面保护带;分割步骤,在实施了该剥离步骤之后,沿着该分割预定线将晶片分割成多个芯片;以及照射步骤,在实施了该分割步骤之后,向该芯片的安装面照射紫外线或等离子体来生成臭氧并生成活性氧,去除该安装面上的有机物并降低该安装面的拨水性。
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