[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201410526588.4 | 申请日: | 2014-10-09 |
公开(公告)号: | CN104576529B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 香西宏彦;服部笃 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种晶片的加工方法,可减少芯片的安装不良。在通过实施分割步骤来将晶片(W)分割成一个个芯片(C)之后,实施照射步骤,从而向芯片(C)的安装面(C1)照射紫外线或者等离子体来生成臭氧并生成活性氧,去除附着在芯片(C)的安装面(C1)上的有机物。除了在晶片(W)的处理中附着的异物以外,还可以从芯片(C)的安装面(C1)去除在分割时产生的异物,能够减少芯片(C)的安装不良。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,在晶片的正面的由交叉的多个分割预定线划分出的各区域内形成有器件,该器件的正面侧为安装到安装基板上的安装面,所述晶片的加工方法具有:粘贴步骤,在晶片的正面粘贴正面保护带,其中,在所述正面保护带的糊层内包含有分型剂;磨削步骤,在实施了该粘贴步骤之后,使用保持构件隔着该正面保护带保持晶片并磨削晶片的背面;剥离步骤,在实施了该磨削步骤之后,从晶片的正面剥离该正面保护带;分割步骤,在实施了该剥离步骤之后,沿着该分割预定线将晶片分割成多个芯片;以及照射步骤,在实施了该分割步骤之后,向该芯片的安装面照射紫外线或等离子体来生成臭氧并生成活性氧,去除该安装面上的有机物并降低该安装面的拨水性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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