[发明专利]栅极结构的形成方法在审
| 申请号： | 201410528399.0 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105575785A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一氧化层；采用氮离子轰击所述第一氧化层以在所述第一氧化层表面形成第一氮化物层；在形成所述第一氮化物层之后，对所述衬底、第一氧化层以及第一氮化物层进行热氧化处理；在所述第一氮化物层上形成栅极。本发明的有益效果在于，抑制了鸟嘴结构的形成，并稳定了所述第一氧化层的电性，也方便了后期对第一氧化层进行进一步的电性调整，因而提升了形成的栅极结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一氧化层；采用氮离子轰击所述第一氧化层，以在所述第一氧化层表面形成第一氮化物层；在形成所述第一氮化物层之后，对所述衬底、第一氧化层以及第一氮化物层进行热氧化处理；在热氧化处理的步骤之后，在所述第一氮化物层上形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
