[发明专利]栅极结构、其制作方法及闪存器件有效
| 申请号： | 201410528425.X | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105576016B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种栅极结构、其制作方法及闪存器件。其中，该栅极结构包括：第一栅极，包括中间栅极部和外侧栅极部，中间栅极部的两侧侧面与外侧栅极部的部分侧面相连，且外侧栅极部靠近中间栅极部的侧面呈台阶状；介电材料层，设置于第一栅极的上表面上，介电材料层的上表面与第一栅极的上表面相对应；第二栅极，设置于介电材料层的上表面上，第二栅极具有齐平的上表面。由于该栅极结构中，第一栅极中的外侧栅极部靠近中间栅极部的侧面呈台阶状，使得第一栅极的外表面面积得以增大，从而提高了第一栅极和第二栅极之间的耦合比例，进而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 制作方法 闪存 器件 | ||
【主权项】：
1.一种栅极结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：形成包括中间栅极部和外侧栅极部的第一栅极(30)，且所述中间栅极部的两侧侧面与所述外侧栅极部的部分侧面相连，所述外侧栅极部靠近所述中间栅极部的侧面呈台阶状；在所述第一栅极(30)的上表面上形成上表面与所述第一栅极(30)的上表面相对应的介电材料层(70)；在所述介电材料层(70)的上表面上形成具有齐平的上表面的第二栅极(80)；在形成所述第一栅极(30)的步骤中，所述第一栅极(30)形成于衬底(10)上，且所述第一栅极(30)和所述衬底(10)之间形成有隧穿氧化物层(21)；形成所述第一栅极(30)和所述隧穿氧化物层(21)的步骤包括：在所述衬底(10)上依次形成氧化物层(21)和第一栅极材料层(31)，以及在所述第一栅极材料层(31)的部分表面上依次形成第一掩膜层(43)和宽度大于所述第一掩膜层(43)的宽度的第二掩膜层(53)；形成覆盖所述第一栅极材料层(31)、所述第一掩膜层(43)和所述第二掩膜层(53)的第二栅极材料层(33)；刻蚀所述第二栅极材料层(33)和所述第一栅极材料层(31)以形成所述第一栅极(30)，并刻蚀所述氧化物层(21)以形成所述隧穿氧化物层(21)；刻蚀去除所述第一掩膜层(43)和第二掩膜层(53)；或者形成所述第一栅极(30)和所述隧穿氧化物层(21)的步骤包括：在所述衬底(10)上依次形成氧化物层(21)和第一栅极材料层(31)，以及在所述第一栅极材料层(31)的部分表面上依次形成第一掩膜层(43)和宽度大于所述第一掩膜层(43)的宽度的第二掩膜层(53)；刻蚀所述第一栅极材料层(31)，以使所述第一栅极材料层(31)的宽度等于所述第二掩膜层(53)的宽度；形成覆盖所述氧化物层(21)、所述第一栅极材料层(31)、所述第一掩膜层(43)和所述第二掩膜层(53)的第二栅极材料层(33)；刻蚀所述第二栅极材料层(33)以形成所述第一栅极(30)，并刻蚀所述氧化物层(21)以形成所述隧穿氧化物层(21)；刻蚀去除所述第一掩膜层(43)和第二掩膜层(53)。
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