[发明专利]半导体器件的制作方法、TI-IGBT的制作方法有效
| 申请号： | 201410529420.9 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105489489B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法、TI‑IGBT的制作方法，半导体器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的一个表面上掺杂第一类型杂质，形成全部掺杂的第一掺杂层；采用直写式离子注入方式进行局部扫描，在第一掺杂层上掺杂第二类型杂质，形成第二掺杂区，其余未进行第二类型杂质掺杂的第一掺杂层区域形成第一掺杂区。由于本发明中仅通过控制直写式离子注入方式中离子在离子发生器的电场中的移动路径，控制离子注入到半导体衬底上的区域，实现局部掺杂，相对于通过光刻工艺形成待掺杂区域后再离子掺杂实现局部掺杂来说，本发明的方法大大简化了工艺，缩短了生产周期，提高了生产效率，并降低了半导体器件的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 掺杂层 衬底 制作 半导体 离子注入方式 局部掺杂 掺杂区 直写 离子 掺杂 生产周期 离子发生器 掺杂区域 光刻工艺 局部扫描 离子掺杂 区域形成 生产效率 移动路径 杂质掺杂 电场 掺杂的 生产成本 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的一个表面上掺杂第一类型杂质，形成全部掺杂的第一掺杂层；采用直写式离子注入方式进行局部扫描，在所述第一掺杂层上掺杂第二类型杂质，形成第二掺杂区，其余未进行第二类型杂质掺杂的第一掺杂层区域形成第一掺杂区；其中，所述直写式离子注入方式为通过两个相互垂直的电场来控制离子发生器出射特定能量的离子束，通过控制所述离子束的入射方向，控制离子达到所述半导体衬底表面的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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