[发明专利]焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法、焊接方法在审
| 申请号： | 201410529818.2 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105575835A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 董少华;朱阳军;苏江 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;B23K31/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法，包括：建立半导体器件模型，包括：基板、芯片以及位于基板与芯片之间的焊接层；固定焊接层的空洞位置，改变空洞率，获得焊接层中的空洞率对半导体器件温度的影响；固定焊接层中的空洞率，改变空洞的位置，获得焊接层中的空洞位置对半导体器件温度和应力分布的影响；固定焊接层的空洞率和空洞位置，改变焊接层的厚度，获得焊接层的厚度对所述半导体器件温度和应力分布的影响；获得焊接层质量对半导体器件的性能影响的研究结果。定量地分析了焊接层中空洞率、空洞分布及焊接层厚度对半导体器件的温度和应力分布影响，获得焊接层质量对半导体器件的性能影响的研究结果。 | ||
| 搜索关键词： | 焊接 质量 半导体器件 性能 影响 研究 方法 | ||
【主权项】：
一种焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法，其特征在于，包括：建立半导体器件模型，所述半导体器件模型包括：基板、芯片以及位于所述基板与芯片之间的焊接层；固定所述焊接层的空洞位置，改变所述焊接层中的空洞率，检测所述半导体器件模型的温度，获得焊接层中的空洞率对半导体器件温度的影响；固定所述焊接层中的空洞率，改变所述焊接层中空洞的位置，检测所述半导体器件模型的温度和应力分布，获得所述焊接层中的空洞位置对半导体器件温度和应力分布的影响；固定所述焊接层的空洞率和空洞位置，改变所述焊接层的厚度，检测所述半导体器件模型温度和应力分布，获得所述焊接层的厚度对所述半导体器件温度和应力分布的影响；根据上述焊接层的厚度、空洞位置以及空洞率对半导体器件性能的影响，获得焊接层质量对半导体器件的性能影响的研究结果。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科君芯科技有限公司，未经江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410529818.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
