[发明专利]焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法、焊接方法在审

专利信息
申请号: 201410529818.2 申请日: 2014-10-09
公开(公告)号: CN105575835A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 董少华;朱阳军;苏江 申请(专利权)人: 江苏中科君芯科技有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603;B23K31/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 214135 江苏省无锡市新区菱湖*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法,包括:建立半导体器件模型,包括:基板、芯片以及位于基板与芯片之间的焊接层;固定焊接层的空洞位置,改变空洞率,获得焊接层中的空洞率对半导体器件温度的影响;固定焊接层中的空洞率,改变空洞的位置,获得焊接层中的空洞位置对半导体器件温度和应力分布的影响;固定焊接层的空洞率和空洞位置,改变焊接层的厚度,获得焊接层的厚度对所述半导体器件温度和应力分布的影响;获得焊接层质量对半导体器件的性能影响的研究结果。定量地分析了焊接层中空洞率、空洞分布及焊接层厚度对半导体器件的温度和应力分布影响,获得焊接层质量对半导体器件的性能影响的研究结果。
搜索关键词: 焊接 质量 半导体器件 性能 影响 研究 方法
【主权项】:
一种焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法,其特征在于,包括:建立半导体器件模型,所述半导体器件模型包括:基板、芯片以及位于所述基板与芯片之间的焊接层;固定所述焊接层的空洞位置,改变所述焊接层中的空洞率,检测所述半导体器件模型的温度,获得焊接层中的空洞率对半导体器件温度的影响;固定所述焊接层中的空洞率,改变所述焊接层中空洞的位置,检测所述半导体器件模型的温度和应力分布,获得所述焊接层中的空洞位置对半导体器件温度和应力分布的影响;固定所述焊接层的空洞率和空洞位置,改变所述焊接层的厚度,检测所述半导体器件模型温度和应力分布,获得所述焊接层的厚度对所述半导体器件温度和应力分布的影响;根据上述焊接层的厚度、空洞位置以及空洞率对半导体器件性能的影响,获得焊接层质量对半导体器件的性能影响的研究结果。
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