[发明专利]一种介质层为阳极氧化膜的薄膜电容器的制造方法有效
| 申请号： | 201410531700.3 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104332330B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 宋振国;王斌;路波;曹乾涛;胡莹璐 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01G13/00 | 分类号： | H01G13/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介质层为阳极氧化膜的薄膜电容器的制造方法，包括以下步骤准备基片，在所述基片上沉积一层金属或金属化物薄膜；使用光刻腐蚀工艺将薄膜图形化，形成下电极和第一下电极引出线；在其上涂抹光刻胶，通过光刻工艺形成阳极氧化掩模；阳极氧化下电极，形成介质层；去除光刻胶，在基片上沉积电极层，通过光刻腐蚀工艺将电极层图形化，形成第二下电极引出线、上电极和上电极引出线。本发明所需制造设备和工艺简单，制造成本低，电容值和耐压值的大小易于调整，具有良好的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 阳极 氧化 薄膜 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种介质层为阳极氧化膜的薄膜电容器的制造方法，其特征是：包括以下步骤：(1)准备基片，在所述基片上沉积一层金属或金属化物薄膜；(2)使用光刻腐蚀工艺将上述薄膜图形化，形成下电极和第一下电极引出线；(3)在下电极和第一下电极引出线上涂抹光刻胶，通过光刻工艺形成阳极氧化掩模；(4)阳极氧化下电极，形成介质层；(5)在基片上沉积电极层，通过光刻腐蚀工艺将电极层图形化，形成第二下电极引出线、上电极和上电极引出线；所述步骤(3)中，所述阳极氧化掩模的开口区裸露出下电极并且开口区的面积大于下电极，使得下电极的表面和边缘侧面在阳极氧化时均被氧化形成绝缘层；阳极氧化掩模的厚度为1‑30微米，随着阳极氧化电压的升高，阳极氧化掩模的厚度也随之增加，以保证阳极氧化过程中不被击穿；所述步骤(5)中，上电极边缘不超出介质层边缘。
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