[发明专利]外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410532151.1 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104300363A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 宁永强;李秀山;王立军;贾鹏;刘云;秦莉;张星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/125 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法，属于激光器技术领域。解决了现有技术中外腔垂直腔面发射激光器单模输出稳定性较差，无法满足高功率激光器的应用要求的问题。该激光器包括依次排列的P面电极、P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR中设有具有氧化孔的氧化限制层；还包括耦合腔和凹面镜，耦合腔的下表面固定在出光面上，且耦合腔遮挡出光孔，耦合腔的上表面为凸面；凹面镜由两种折射率不同的介质材料沿凸面从下至上交替排列组成，最下层介质材料的凹面与耦合腔的上表面紧密接触，凹面镜的外圆周面固定在出光面上，且凹面镜遮挡出光孔。该激光器能够减小高阶模式Q值，增大基膜的Q值，单模输出稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
外腔垂直腔面发射半导体激光器，包括依次排列的P面电极(3)、P型DBR(4)、有源区(7)、N型DBR(8)、衬底(9)和N面电极(10)，所述P型DBR(4)中设有具有氧化孔(6)的氧化限制层(5)；其特征在于，还包括，耦合腔(2)和凹面镜(1)；所述耦合腔(2)的下表面固定在出光面上，且耦合腔(2)遮挡出光孔，耦合腔(2)的上表面为凸面；所述凹面镜(1)由两种折射率不同的介质材料从下至上交替排列组成，每层介质材料的下表面均为凹面，上表面均为凸面，最下层介质材料的凹面与耦合腔(2)的上表面紧密接触，凹面镜(1)的外圆周面固定在出光面上，且凹面镜(1)遮挡出光孔。
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