[发明专利]垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201410532155.X | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104300364B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 宁永强;李秀山;王立军;贾鹏;刘云;秦莉;张星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/028 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)22210 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中VCSEL输出的单模功率低、单模稳定性差的技术问题。该激光器，包括从上至下依次紧密排列的P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR中设有具有氧化孔的氧化限制层；该激光器还包括P面电极、透明导电薄膜和环形绝缘介质膜，环形绝缘介质膜固定在P型DBR的上表面上，且遮挡出光孔的边缘，透明导电薄膜固定在P型DBR的上表面上，且覆盖环形绝缘介质膜，并遮挡出光孔；P面电极固定在透明导电薄膜上表面的边缘，且不遮挡出光孔。该激光器能增加基模的输出功率，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
垂直腔面发射半导体激光器，包括从上至下依次紧密排列的P型DBR(4)、有源区(8)、N型DBR(5)、衬底(9)和N面电极(10)，所述P型DBR(4)中设有具有氧化孔(7)的氧化限制层(6)；其特征在于，还包括P面电极(1)、透明导电薄膜(2)和环形绝缘介质膜(3)；所述环形绝缘介质膜(3)固定在P型DBR(4)的上表面上，且遮挡出光孔的边缘；所述透明导电薄膜(2)固定在P型DBR(4)的上表面上，且覆盖环形绝缘介质膜(3)，并遮挡出光孔；所述P面电极(1)固定在透明导电薄膜(2)上表面的边缘且不遮挡出光孔。
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