[发明专利]一种掺钠铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法

摘要

一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒太阳电池器件，其特征在于：衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，在该复合衬底表面制备铜铟镓硒太阳电池。本发明的优点是：该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜附着性优秀，结晶质量好，晶粒粗大，缺陷少；在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃分离，形成以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池，实现以钢性衬底制备柔性电池；其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用，尤其在太空及特殊场合中具有极其重要的应用前景。

主权项

一种铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法，其特征在于：采用硒化炉薄膜制备系统，应用共蒸发改进型一步法制备工艺，制备步骤如下：1)本底真空为4.4×10^‑4Pa，衬底温度为350‑400℃，共蒸发In、Ga、Se高Ga含量预制层，其中In蒸发源温度为820‑850℃，Ga蒸发源温度为920‑950℃，Se蒸发源温度为240‑280℃，蒸发时间为2‑3min，控制原子比例In∶Ga＝0.3∶0.7，(In+Ga)/Se＝2∶3；2)衬底温度为550‑580℃，共蒸发Cu、In、Ga、Se，其中Cu蒸发源温度为1120‑1160℃，In蒸发源温度为850‑900℃，Ga蒸发源温度为880‑920℃，Se蒸发源温度为240‑280℃，蒸发时间为25‑30min；3)先关掉Cu，In，Ga三个源的电流电压，等衬底温度降为100℃时候关掉Se源。然后等温度冷却。