[发明专利]一种小面积硫化镉薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201410532489.7 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104241453A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 薛玉明;尹富红;潘洪刚;刘君;郭晓倩;宋殿友;朱亚东;李鹏海;冯少君;张嘉伟;刘浩;高林;航伟;乔在祥;田雨仙;李鹏宇;王玉昆;曲慧楠 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C18/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法低氨条件下制备小面积硫化镉薄膜制备方法，其特征在于：衬底由玻璃衬底上制备用磁控溅射法制备钼电极并且用共蒸发的方法制备铜铟镓硒薄膜，在该复合衬底表面用化学水浴法在低氨条件下制备CdS薄膜。本发明的优点是：该种基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法低氨条件下制备小面积硫化镉薄膜制备方法结晶质量好，致密无针孔，有很好的附着性并且具有高的透过率其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用，在工业生产中具有极其重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 面积 硫化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法低氨条件下制备小面积硫化镉薄膜制备。其特征在于：用清洗干净后的苏打柠檬玻璃上使用磁控溅射方法制备Mo背电极和CIGS吸收层，然后在这种SLG/Mo/CIGS复合衬底上使用低氨条件下化学水浴法制备CdS薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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