[发明专利]一种掺钠铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法

摘要

一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒太阳电池器件，其特征在于：衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，在该复合衬底表面制备铜铟镓硒太阳电池。本发明的优点是：该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜附着性优秀，结晶质量好，晶粒粗大，缺陷少；在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃分离，形成以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池，实现以钢性衬底制备柔性电池；其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用，尤其在太空及特殊场合中具有极其重要的应用前景。

主权项

一种基于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒太阳电池，其特征在于：衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，其中苏打玻璃的厚度为1.5‑2mm，聚酰亚胺膜厚度为25‑30μm；钼背接触层生长于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底之上，分为高阻层和低阻层，其中高阻层的厚度为80‑120nm，低阻层的厚度为600‑700nm；铜铟镓硒吸收层生长于钼薄膜之上，化学分子式为CuIn_1‑xGa_xSe₂，式中x为0.25‑0.35，导电类型为p型，厚度为1.5‑2μm；氟化钠预制层薄膜生长于铜铟镓硒吸收层之上，化学分子式为NaF，厚度为20‑30nm；硫化镉缓冲层生长于铜铟镓硒吸收层表面，化学分子式为CdS，导电类型为n型，厚度为45‑50nm；透明窗口层生长于硫化镉缓冲层之上，分为高阻本征氧化锌薄膜和低阻氧化锌铝薄膜，导电类型为n型，其中本征氧化锌薄膜的厚度为50‑100nm，氧化锌铝薄膜的厚度为0.4‑0.6μm；铝上电极薄膜生长于透明窗口层之上，其后为为0.8‑1.5μm。