[发明专利]一种厘米级奥克托今单晶的培养方法有效
| 申请号： | 201410535044.4 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104294366A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王建华;柴涛;刘玉存;于雁武;袁俊明;刘登程;靳苏明 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/08 |
| 代理公司： | 山西五维专利事务所(有限公司) 14105 | 代理人： | 郭海燕 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于奥克托今晶体培养技术领域，具体涉及一种厘米级奥克托今单晶的培养方法。本发明主要解决目前奥克托今单晶培养中晶体尺寸小、瑕疵多的问题。本发明厘米级奥克托今单晶的培养方法包括以下步骤：(1)在乙腈中配置奥克托今饱和溶液，过滤，收集滤液于锥形瓶中，将锥形瓶密封放于培养箱内；(2)降温：第一阶段：从配置温度降到45℃，降温速率1℃/30min；第二阶段：从45℃降到40℃，降温速率1℃/1h；第三阶段：从40℃降到28℃，降温速率0.1℃/5min～0.1℃/10min；第四阶段：从28℃降到室温，降温速率0.1℃/10min～0.1℃/30min；(3)降至室温后放置24～48h即可。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 厘米 级奥克托今单晶 培养 方法 | ||
【主权项】：
一种厘米级奥克托今单晶的培养方法，其特征是包括以下步骤：(1)首先在乙腈溶液中配置奥克托今饱和溶液，配置温度为50℃～60℃，并在配置温度下恒温稳定1～2小时，然后再在配置温度下恒温过滤，过滤用的滤芯孔径不大于5微米，收集滤液于干净的锥形瓶中，每个锥形瓶中的滤液不低于300mL，将装有滤液的锥形瓶密封，放于培养箱内，设定培养箱内温度与饱和溶液配置温度相同，在此配置温度下稳定0.5～2小时后，开始降温；(2)降温分为四个阶段：第一阶段：从配置温度降到45℃，降温速率为1℃/30min；第二阶段：从45℃降到40℃，降温速率为1℃/1h；第三阶段：从40℃降到28℃，降温速率为0.1℃/5min～0.1℃/10min，当滤液温度在38℃～36℃范围内，锥形瓶中开始有晶体析出；第四阶段：从28℃降到室温，降温速率为0.1℃/10min～0.1℃/30min；(3)当锥形瓶内滤液温度降为室温后放置24～48h，即得到厘米级的奥克托今单晶。
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