[发明专利]光刻版及晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法

摘要

本申请提供了一种光刻版及晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法。该光刻版包括版图，版图具有等第一间距分布的多个标记区域，标记区域的宽度为W1，第一间距与宽度相等，标记区域具有等第二间距分布的多个子标记，第二间距为W2。该版图的每一个子标记区域在干涉图形中均会出现一个干涉峰，当某处的标记出现异常时，对应的干涉峰也会出现偏移或振荡，能够读取到明显的干涉信号变化，因此其对沾污的检测灵敏度较高；且该版图还可以覆盖到晶圆的边缘，能够灵敏及时地检测到晶圆或晶圆承载台上的沾污，进而避免了由于沾污造成器件失效需要的返工的问题，提高了器件的产率及良率。

主权项

1.一种晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：步骤S1,将所述晶圆将放置在所述晶圆承载台上，并在所述晶圆远离所述晶圆承载台的表面上设置光刻胶；步骤S2,光刻版作为光刻掩膜版对所述光刻胶进行曝光，形成光刻胶对准标记；以及步骤S3,读取所述光刻胶对准标记处的标记残留值，判定所述光刻胶对准标记处是否被沾污，若所述标记残留值的绝对值大于标准值A，则所述标记残留值对应的所述光刻胶对准标记处具有沾污，否则无沾污，所述光刻版包括版图，所述版图具有等第一间距分布的多个标记区域，所述标记区域的宽度为W1，所述第一间距与所述宽度相等，所述标记区域具有等第二间距分布的多个子标记，所述第二间距为W2；所述检测方法还包括：步骤S4，以标记残留值为横坐标，以焦点偏移值为纵坐标，建立拟合曲线；步骤S5，通过所述拟合曲线得到对应所述步骤S3的标记残留值的焦点偏移值；以及步骤S6，将所述焦点偏移值与所述晶圆的下一制程的焦深进行比较，若所述焦点偏移值大于所述焦深，将所述晶圆返工，否则进入所述下一制程。