[发明专利]硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201410535451.5 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104269452A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 梁鹏;韩培德;廖显伯;向贤碧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/0256;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法，其中硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池结构，包括：一导电玻璃；一n型电子传输层，其制作在导电玻璃上；一钙钛矿光敏层，其制作在n型电子传输层上；一p型空穴传输层，其制作在钙钛矿光敏层上；一金属对电极，其制作在p型空穴传输层上。本发明，具有用成本低廉，易于合成的p型硅基薄膜材料作为空穴传输层，取代价格昂贵的spiro-OMeTAD有机材料，提高硅太阳电池的长波响应和电池效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 材料 钙钛矿 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池结构，包括：一导电玻璃；一n型电子传输层，其制作在导电玻璃上；一钙钛矿光敏层，其制作在n型电子传输层上；一p型空穴传输层，其制作在钙钛矿光敏层上；一金属对电极，其制作在p型空穴传输层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410535451.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电源切换装置
- 下一篇：一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
