[发明专利]一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 201410535591.2 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104362092A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 麻芃;金智;史敬元;张大勇;王少青;王选芸 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积栅介质层，制备栅金属电极；沉积钝化保护层，利用选择性刻蚀去除栅介质层上方的钝化保护层而只保留栅金属电极侧墙部分的钝化保护层；对栅介质层进行腐蚀，去除栅金属覆盖区域之外的栅介质层；以及沉积金属形成源漏金属电极。本发明通过所设计的自对准工艺石墨烯场效应晶体管器件制备流程，可以有效地减小栅源、栅漏间距离，进而减小寄生通路电阻，从而提高石墨烯顶栅FET器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 对准 工艺 制作 石墨 场效应 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法，其特征在于，该方法包括：在石墨烯上沉积栅介质层，制备栅金属电极；沉积钝化保护层，利用选择性刻蚀去除栅介质层上方的钝化保护层而只保留栅金属电极侧墙部分的钝化保护层；对栅介质层进行腐蚀，去除栅金属覆盖区域之外的栅介质层；以及沉积金属形成源漏金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
