[发明专利]一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 201410535772.5 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104319626A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;王青;尧舜;郑建华;高鹏坤 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，该缓冲层生长在所述衬底上；下分布布拉格反射镜层生长在所述缓冲层上；该下相位匹配层生长在所述下分布布拉格反射镜层上；亚集电极层生长在所述下相位匹配层上；集电极层生长在所述亚集电极层上；基极及量子阱有源区层生长在所述集电极层上；发射极层生长在所述基极及量子阱有源区层上；上相位匹配层生长在所述发射极层上；氧化限制层生长在所述上相位匹配层上；上分布布拉格反射镜层生长在所述氧化限制层上。本发明提供的微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，将VCSEL的优异光学性能与异质结晶体管的高速电学性能相结合，可以应用在光学互联和OEIC等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 载流子 直接 调制 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于：该激光器包括衬底(1)、缓冲层(2)、下分布布拉格反射镜层(3)、下相位匹配层(4)、亚集电极层(5)、集电极层(6)、基极及量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上相位匹配层(9)、氧化限制层(10)、上分布布拉格反射镜层(11)；该缓冲层(2)生长在所述衬底(1)上；下分布布拉格反射镜层(3)生长在所述缓冲层(2)上；该下相位匹配层(4)生长在所述下分布布拉格反射镜层(3)上；亚集电极层(5)生长在所述下相位匹配层(4)上；集电极层(6)生长在所述亚集电极层(5)上；基极及量子阱有源区层(7)生长在所述集电极层(6)上；发射极层(8)生长在所述基极及量子阱有源区层(7)上；上相位匹配层(9)生长在所述发射极层(8)上；氧化限制层(10)生长在所述上相位匹配层(9)上；上分布布拉格反射镜层(11)生长在所述氧化限制层(10)上。
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