[发明专利]一种ITO结构的LED芯片结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种ITO结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂ITO层代替传统的P型GaN外延层；在P型掺杂ITO层上制备P电极，刻蚀至N型掺杂GaN层，在其上制备N电极；所述P电极对应设置在P型掺杂ITO层上；对所述外延片进行刻蚀，在N型掺杂GaN层上制作N电极。本发明可以避免InGaN/GaN多量子阱结构后升温生长P‑GaN所带来的In组分布不均匀，有利于提高波长均匀性；避免P‑GaN外延生长，降低成本，提高产能；采用高透光、高电导率的ITO超薄层作为P型电流扩展层，可以有效的提高光出射效率，提高外量子效率。

主权项

一种ITO结构的LED，其外延片结构为：包括有衬底(1)、成核层(2)、非掺杂GaN层(3)、N型掺杂GaN层(4)、InGaN/GaN多量子阱结构(5)、P型掺杂ITO层(6)、P电极(7)、N电极(8)；其中，所述衬底(1)、成核层(2)、非掺杂GaN层(3)、N型掺杂GaN层(4)、InGaN/GaN多量子阱结构(5)、P型掺杂ITO层(6)、P电极(7)从下至上依次层叠设置；所述P电极(7)对应设置在P型掺杂ITO层(6)上；对所述外延片进行刻蚀，在N型掺杂GaN层(4)上制作N电极(8)。