[发明专利]具有超结结构的半导体器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有超结结构的半导体器件，包括元胞区域，所述元胞区域包括第二导电类型的第一本体区、第一导电类型的导柱和第二导电类型的导柱，第二导电类型的导柱与位于其上的第一本体区之间具有预设的间距。将所述第二导电类型的导柱与位于其上方的第一本体区部分或者完全分离，可以有效地减小源漏极之间的电容，进而减小半导体器件的开关损耗；抑制少子注入，抑制了在反向恢复阶段的少子抽取，软化反向恢复特性，降低反向恢复阶段的损耗和电压震荡；通过控制元胞区域内的第二导电类型的导柱与位于其上方的第一本体区之间的连接面积，可以确保半导体器件的击穿发生在元胞区域内，进而提高半导体器件的耐用度。

主权项

1.一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，包括：元胞区域，所述元胞区域包括衬底、位于所述衬底上的第一导电类型的外延层、位于所述第一导电类型的外延层内的第一导电类型的导柱和第二导电类型的导柱，以及离子注入连接区；所述第一导电类型的导柱与第二导电类型的导柱沿着电流通路的方向在所述第一导电类型的外延层内延伸，在垂直于电流通路的方向交替连接设置，形成超结结构；所述第一导电类型的外延层内还包括第二导电类型的第一本体区和位于所述第一本体区内的第一导电类型的源区；所述第一本体区位于所述第二导电类型的导柱的上方，且随所述第二导电类型的导柱一起间隔分布；所述第二导电类型的导柱与位于其上方的所述第一本体区之间具有预设的第一间距，所述第一间距小于或等于4um；所述离子注入连接区一端与所述第二导电类型的导柱相连接，另一端与所述第二导电类型的导柱上方的所述第一本体区相连接，且所述离子注入连接区在所述第二导电类型的导柱上表面延伸的方向上间隔分布。