[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构的顶部和侧壁以及所述半导体衬底上形成富氧衬垫层；在所述富氧衬垫层上循环进行可流动的介电材料的沉积操作和固化处理操作，以形成层间介电层；以及进行退火处理。根据本发明提供的半导体器件的制造方法，采用了富氧衬垫层，其可以促进可流动的介电材料的转变，避免在层间介电层中留下空洞，并且无需增加高温热退火处理来改善介电层的间隙填充。因此，本方法可以提高介电层的间隙填充能力，改善介电层的质量而无需增加热预算。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构的顶部和侧壁以及所述半导体衬底上形成富氧衬垫层，其中形成所述富氧衬垫层包括：在所述栅极结构的顶部和侧壁以及所述半导体衬底上沉积初始衬垫层；回蚀刻所述初始衬垫层以去除位于所述栅极结构的顶角处的所述初始衬垫层的一部分以及清洗所述初始衬垫层以形成所述富氧衬垫层；在所述富氧衬垫层上循环进行可流动的介电材料的沉积操作和固化处理操作，以形成层间介电层；以及进行退火处理。