[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410538118.X | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105575870B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;刘尧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述制备方法包括步骤S1：提供元件晶圆，在所述元件晶圆的正面形成有元器件图案；步骤S2：在所述元件晶圆的正面形成第一干膜层并进行图案化，以在所述第一干膜层中形成所述元器件图案；步骤S3：固化所述第一干膜层；步骤S4：在所述第一干膜层上贴敷第二干膜层，并进行固化，以形成支撑层；步骤S5：对所述元件晶圆的背面进行背部研磨；步骤S6：对所述元件晶圆的正面进行切割，切割的同时所述第一干膜层和所述第二干膜层自动脱落。本发明所述方法不仅简单易行，而且极大的降低了工艺成本，提高了器件产量。 | ||
| 搜索关键词： | 干膜层 晶圆 制备 半导体器件 电子装置 元器件 固化 切割 图案 工艺成本 自动脱落 研磨 图案化 支撑层 贴敷 背面 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供元件晶圆，在所述元件晶圆的正面形成有元器件图案；步骤S2：在所述元件晶圆的正面形成第一干膜层并进行图案化，以在所述第一干膜层中形成所述元器件图案；步骤S3：固化所述第一干膜层，其中，在所述固化步骤之后，在所述元件晶圆的切割道上保留有所述第一干膜层；步骤S4：在所述第一干膜层上贴敷第二干膜层，并进行固化，以形成支撑层；步骤S5：对所述元件晶圆的背面进行背部研磨；步骤S6：对所述元件晶圆的正面进行切割，切割的同时所述第一干膜层和所述第二干膜层自动脱落。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
