[发明专利]横向高压半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410538333.X | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105575779B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;石金成;文燕;王焜;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种横向高压半导体器件的制作方法，包括：在第一导电类型的衬底表层，形成第二导电类型的各第一离子注入掺杂区，第一离子注入掺杂区的分布密度从横向高压半导体器件的高压端向横向高压半导体器件的低压端的方向上逐渐减小；对衬底进行第一高温处理，以使各第一离子注入掺杂区形成第一扩散区；在衬底上形成外延层；在外延层的表层形成第二导电类型的第二扩散区和第一导电类型的第三扩散区，第三扩散区位于低压端，第二扩散区覆盖第一扩散区且从第三扩散区靠近高压端的一侧起延伸至高压端，第二导电类型与第一导电类型相反。根据本发明的横向高压半导体器件的制作方法，尽量避免了击穿电压和导通电阻两者之间的矛盾。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 高压 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向高压半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一导电类型的衬底表层，形成第二导电类型的各第一离子注入掺杂区，所述第一离子注入掺杂区的分布密度从所述横向高压半导体器件的高压端向所述横向高压半导体器件的低压端的方向上逐渐减小；对所述衬底进行第一高温处理，以使各所述第一离子注入掺杂区形成第一扩散区；在所述衬底上形成外延层；在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二扩散区和第一导电类型的第三扩散区，所述第三扩散区位于所述低压端，所述第二扩散区覆盖所述第一扩散区且从所述第三扩散区靠近所述高压端的一侧起延伸至所述高压端，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；所述高压端区域的所述第一离子注入掺杂区的分布密度是均匀的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410538333.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
