[发明专利]星载S频段同轴式吸收负载在审
| 申请号： | 201410541709.2 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105896009A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王晓天;李鸿斌;赵香妮;董楠;高晓艳;韩运忠;王勤科 | 申请（专利权）人： | 北京空间飞行器总体设计部 |
| 主分类号： | H01P1/26 | 分类号： | H01P1/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种星载S频段同轴式吸收负载，其包括：负载腔体，具有高的比强度和比刚度；吸波材料体，被嵌入在负载腔体的内部；负载压环，用于对吸波材料体进行卡位；TNC插座和TNC插芯，其电性能相互匹配；以及第一和第二TNC介质支撑，位于TNC插座内，用于对TNC插芯进行定位。因此，本发明的吸收负载工作于2.0GHz～2.3GHz频段，采用吸波材料腔体嵌入式结构，通过金属探针馈电法，解决了现有技术中这种类型负载普遍采用的“带线传输+电阻片”焊接工艺中存在的隐患以及可靠性差的问题，保证了卫星研制进度，并且其结构简单可靠，易加工，成本低，同等体积、重量情况下，功率耐受能力等都优于现有技术中的负载。 | ||
| 搜索关键词： | 星载 频段 同轴 吸收 负载 | ||
【主权项】：
一种星载S频段同轴式吸收负载，采用吸波材料腔体嵌入式结构获得同轴式吸收负载，其特征在于，包括：负载腔体，具有高的比强度和比刚度；吸波材料体，被嵌入在所述负载腔体的内部；负载压环，用于对所述吸波材料体进行卡位；T‑N型射频连接器插座和T‑N型射频连接器插芯，其电性能相互匹配；以及第一和第二T‑N型射频连接器介质支撑，位于所述T‑N型射频连接器插座内，用于对所述T‑N型射频连接器插芯进行定位。
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