[发明专利]一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路在审

专利信息
申请号: 201410542302.1 申请日: 2014-10-14
公开(公告)号: CN105577154A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 聂培军 申请(专利权)人: 北京谊安医疗系统股份有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 路凯;胡彬
地址: 100070 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路。其包括:变速控制电路和逻辑控制电路,所述变速控制电路连接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET,所述功率MOSFET连接容性负载,所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源,其输出端通过变速控制电路连接功率MOSFET。当逻辑控制电路控制功率MOSFET导通时,通过变速控制电路能够控制功率MOSFET的软启动功率输出特性,能够大大减小MOSFET导通瞬间大电流对容性负载的冲击;当逻辑控制电路控制功率MOSFET截止时,通过变速控制电路能够控制功率MOSFET加速关闭麻醉机供电电源。本发明可以通过改变加速控制电路中元器件的参数实现任意配置功率MOSFET的软启动特性,而且可以保证极速关闭麻醉机供电电源,具有电路结构简单、功耗低的优点。
搜索关键词: 一种 麻醉 功率 mosfet 负载 保护 电路
【主权项】:
一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路,其特征在于,包括:变速控制电路和逻辑控制电路;所述变速控制电路的输入端连接供电电源,所述变速控制电路的输出端连接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET,所述功率MOSFET连接容性负载;所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源用于接收使能信号,所述逻辑控制电路的输出端通过所述逻辑控制电路连接功率MOSFET,用于控制功率MOSFET的导通和截止;当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET导通时,所述变速控制电路用于控制功率MOSFET软开启输出特性;当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET截止时,所述变速控制电路用于控制功率MOSFET极速关闭麻醉机供电电源。
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