[发明专利]一种大电流双向供电通道控制电路及其调节方法在审

专利信息
申请号: 201410542332.2 申请日: 2014-10-14
公开(公告)号: CN105515344A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 聂培军 申请(专利权)人: 北京谊安医疗系统股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 路凯;胡彬
地址: 100070 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种大电流双向供电通道控制电路及其调节方法,包括MOS管Q1、电阻R1、电容C1、肖特基二极管D1、三极管Q3、电阻R2、MOS管Q2、电阻R3、电阻R4、三极管Q4、电阻R6、电阻R5;通过改变电容C1的电容值和电阻R4的电阻值,可以调节输出响应缓冲时间。该大电流双向供电通道控制电路及其调节方法,采用模拟电路避免死机,采用MOS管降低管压,实现了低功耗的简单电路设计,电路集成度高,响应速度快。
搜索关键词: 一种 电流 双向 供电 通道 控制电路 及其 调节 方法
【主权项】:
一种大电流双向供电通道控制电路,其特征在于,包括MOS管Q1、电阻R1、电容C1、肖特基二极管D1、三极管Q3、电阻R2、MOS管Q2、电阻R3、电阻R4、三极管Q4、电阻R6、电阻R5;所述MOS管Q1的漏极连接电源输入端,MOS管Q1的栅极分别连接电容C1的一端、肖特基二极管D1的正极、三极管Q3的集电极、电阻R4的一端、MOS管Q2的栅极,MOS管Q1的源极分别连接电阻R1的一端、三极管Q3的发射极、肖特基二极管D1的负极、电阻R2的一端、MOS管Q2的源极,电阻R1的另一端连接电容C1的另一端,MOS管Q2的漏极连接电源输出端,三极管Q3的基极分别连接电阻R3的一端、电阻R2的另一端,所述三极管Q4的集电极连接电阻R3的另一端,三极管Q4的基极分别连接电阻R5的一端、电阻R6的一端,电阻R5的另一端连接信号输入端口,电阻R6的另一端接地,三极管Q4的发射极与电阻R4的另一端均接地。
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