[发明专利]数据写入方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元有效

专利信息
申请号: 201410544531.7 申请日: 2014-10-15
公开(公告)号: CN105573661B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 辜芳立;陈庆儒;许登钧;简嘉宏 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G11C16/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种数据写入方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述数据写入方法包括:将数据写入至至少一第一逻辑单元以及第二逻辑单元,其中此数据包括第一数据与第二数据;存储并填满第一数据至至少一第一物理抹除单元,并且存储第二数据至至少一第二物理抹除单元;判断每一第二物理抹除单元的剩余空间是否小于一阈值;若所述第二物理抹除单元的其中之一的剩余空间小于此阈值,从闲置区中选择至少一第四物理抹除单元,并且将第二数据写入至第二物理抹除单元与第四物理抹除单元。
搜索关键词: 数据 写入 方法 存储器 存储 装置 控制电路 单元
【主权项】:
1.一种数据写入方法,用于控制可复写式非易失性存储器模块,其中该可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元,这些物理抹除单元被至少分组为数据区与闲置区,并且该数据写入方法包括:配置多个逻辑单元,其中这些逻辑单元中的至少一第一逻辑单元映射至该数据区中的至少一第一物理抹除单元,这些逻辑单元中的至少一第二逻辑单元映射至该数据区中的至少一第二物理抹除单元,该至少一第一物理抹除单元存储有第一数据且被该第一数据写满,该至少一第二物理抹除单元存储有第二数据且未被该第二数据写满;从该闲置区中选择至少一第三物理抹除单元并且判断该至少一第二物理抹除单元的剩余空间是否小于阈值;若该至少一第二物理抹除单元的该剩余空间不小于该阈值,发送第一写入指令序列,其中该第一写入指令序列指示将该第一数据写入至该至少一第三物理抹除单元并且指示将该第二数据写入至该至少一第二物理抹除单元;以及若该至少一第二物理抹除单元的该剩余空间小于该阈值,从该闲置区中选择至少一第四物理抹除单元并且发送第二写入指令序列,其中该第二写入指令序列指示将该第一数据写入至该至少一第三物理抹除单元并且指示将该第二数据写入至该至少一第二物理抹除单元与该至少一第四物理抹除单元。
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