[发明专利]一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统在审
| 申请号： | 201410544833.4 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104319246A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 谷士斌;张林;田小让;何延如;赵冠超;杨荣;孟原;郭铁 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统。该方法包括：获取用于制作产品的硅片的表面图像；根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型；如果所述表面类型为无缺陷型，将所述硅片进行所述产品制作过程的下一步工序处理；如果所述表面类型为不可修复缺陷型，将所述硅片进行废弃处理；如果所述表面类型为可修复缺陷型，将所述硅片进行修复。本发明实施例中，不是将不合格的硅片进行废弃处理，而是对不合格的硅片中不可修复的硅片进行废弃处理，对可修复的硅片进行回收修复处理，修复后的硅片还可以继续进行产品制作过程的下一步工序处理，从而使得产品的废弃率降低了。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 产品 制作 过程 硅片 表面 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种产品制作过程中硅片表面的检测方法，其特征在于，包括：获取用于制作产品的硅片的表面图像；根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型；如果所述表面类型为无缺陷型，将所述硅片进行所述产品制作过程的下一步工序处理；如果所述表面类型为不可修复缺陷型，将所述硅片进行废弃处理；如果所述表面类型为可修复缺陷型，将所述硅片进行修复。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新奥光伏能源有限公司，未经新奥光伏能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410544833.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微型超低温磁力驱动齿轮泵
- 下一篇：断路器旋转式双断点触头结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
