[发明专利]一种高频薄膜热电变换器的结构及制作方法在审
| 申请号： | 201410545132.2 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104409622A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 韩建强;俞亦茂;厉森;程冰;李青 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高频薄膜热电变换器的结构及制作方法。薄膜热电变换器的加热电阻(3)由中心的氮化硅或二氧化硅绝缘芯层(8)及包围绝缘芯层(8)的表面导电层(7)组成，可减小趋肤效应对薄膜热电变换器的热电转换性能的影响。在腐蚀绝热薄膜(2)的同时将加热电阻焊盘(5)之间硅衬底完全腐蚀。由于空气的介电常数远小于硅材料的介电常数，因此可以有效减小加热电阻焊盘(5)之间的电容，从而减小热电转换器过程中的交直流转换误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 薄膜 热电 变换器 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高频薄膜热电变换器，其特征在于薄膜热电变换器的加热电阻(3)由中心的氮化硅或二氧化硅绝缘芯层(8)及包围绝缘芯层(8)的表面导电层(7)组成；在腐蚀绝热薄膜(2)的同时将加热电阻焊盘(5)之间硅衬底完全腐蚀，形成隔离槽(6)。
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