[发明专利]一种CdS/BiVO4复合半导体光催化剂、制备及应用在审

专利信息
申请号: 201410545319.2 申请日: 2014-10-15
公开(公告)号: CN105562034A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 王雄;田鹏;张旻;邹磊 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;A62D3/17;A62D101/26;A62D101/28
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种CdS/BiVO4复合半导体光催化剂、制备及应用。属于环境材料制备技术领域。本发明首先采用溶剂热法制备BiVO4粉体,然后水热合成CdS/BiVO4复合半导体。按照本方法制备出来了单斜相BiVO4,并以此为载体,负载CdS纳米颗粒,增加了光催化剂的比表面积,降低了电子空穴复合率,提高了BiVO4的光催化活性,能够有效降解污水中的有机染料。
搜索关键词: 一种 cds bivo sub 复合 半导体 光催化剂 制备 应用
【主权项】:
一种CdS/BiVO4复合半导体光催化剂,其特征在于,以纯相BiVO4为基体,用二次水热法在其表面原位生长CdS纳米颗粒,CdS所占摩尔比x为5‑95%;所述二次水热是直接将CdCl2和Na2S·9H2O溶于水溶液后经高压反应生长在BiVO4基体表面。
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