[发明专利]咔唑衍生物,以及使用咔唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件有效
申请号: | 201410545381.1 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN104387314B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 野村洸子;尾坂晴惠;牛洼孝洋;川上祥子;濑尾哲史;下垣智子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C07D209/86 | 分类号: | C07D209/86;H01L51/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 林毅斌;林森 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 为提供具有高发光效率的发光元件和提供功耗低且在低电压下驱动的发光器件和电子器件,提供由通式(1)代表的咔唑衍生物。在该式中,α1、α2、α3和α4各自代表具有小于或等于13个碳原子的亚芳基;Ar1和Ar2各自代表具有小于或等于13个碳原子的芳基;R1代表氢原子、具有1‑6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基,和取代或未取代的联苯基中的任何基团;R2代表具有1‑6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基,和取代或未取代的联苯基中的任何基团。另外,l、m和n各自独立为0或1。 | ||
搜索关键词: | 衍生物 以及 使用 发光 元件 器件 电子器件 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,包括:第一电极;所述第一电极上的EL层,该EL层包含接触于所述第一电极的空穴注入层、所述空穴注入层上的空穴传输层和所述空穴传输层上的发光层,所述空穴注入层和所述空穴传输层均包含由通式(7)或(211)表示的化合物:。
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