[发明专利]生长出无金属且低应力的类钻碳厚膜的方法和装置在审
| 申请号： | 201410545803.5 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104576327A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 汪忠晖 | 申请（专利权）人： | 纳米及先进材料研发院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 武晨燕;迟姗 |
| 地址： | 中国香港九龙清水湾香港科技大学赛马会创*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了无金属且低应力的类钻碳(DLC)厚膜。本发明的类钻碳层具有很广的应用范围，例如汽车涂层、疏水-亲水调节、太阳能光伏、装饰涂层、保护涂层和生物相容性涂层。本发明还提供了一种通过在同一腔室中执行沉积和等离子体蚀刻以将多于一个类钻碳层堆叠在一起而生长出无金属且低应力的类钻碳厚膜的方法和装置。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 金属 应力 类钻碳厚膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种形成类钻碳膜堆的方法，包括：沉积第一类钻碳层；蚀刻所述第一类钻碳层以在所述第一类钻碳层上形成氟稀释表面；和在所述第一类钻碳层的所述氟稀释表面上进一步沉积类钻碳层以形成类钻碳层堆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳米及先进材料研发院有限公司;，未经纳米及先进材料研发院有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410545803.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
