[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410546261.3 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105576024B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张璇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部侧壁；在高于隔离层的鳍部表面形成外延层；对所述外延层进行化学干法刻蚀，使所述外延层表面的粗糙度下降。上述方法可以提高外延层表面的平整度，提高以此为基础形成的鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部侧壁；在高于隔离层的鳍部表面形成外延层；对所述外延层进行化学干法刻蚀，使所述外延层表面的粗糙度下降；所述化学干法刻蚀采用的刻蚀气体为CF4、Br2或Cl2，采用微波对所述刻蚀气体进行处理，所述微波功率为2GHz～3GHz，所述刻蚀气体流量为300sccm～500sccm，压强为300mTorr～700mTorr，微波处理后的气体源与半导体衬底之间的距离为25cm～50cm。
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