[发明专利]铁铬氰化物分子磁体纳米线的制备方法在审
| 申请号： | 201410546718.0 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105513731A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 齐海港 | 申请（专利权）人： | 西安艾菲尔德复合材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/01 | 分类号： | H01F1/01;H01F41/02 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 燕肇琪 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区唐廷南路东*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁铬氰化物分子磁体纳米线的制备方法，首先，准备电极，用制备好的多孔氧化铝模板作为一个电极，用高纯度的碳棒作为对电极，沉积采用两电极体系，然后配制沉积液并进行沉积反应，再将铁铬氰化物分子磁体模板泡在饱和HgCl2溶液中，经1～2h后将附着有铁铬氰化物分子磁体的氧化铝薄膜与铝基底分离；最后将附着有铁铬氰化物分子磁体的氧化铝薄膜放在含有0.1～0.3mol/L的H2CrO4和0.1～0.3mol/L的H3PO4的混合溶液中浸泡24～26小时，即得到铁铬氰化物分子磁体纳米线阵。本发明的一种铁铬氰化物分子磁体纳米线的制备方法，解决了现有的分子磁性材料的居里温度普遍偏低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氰化物 分子 磁体 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铁铬氰化物分子磁体纳米线的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，准备电极，用制备好的多孔氧化铝模板作为一个电极，用高纯度的碳棒作为对电极，沉积采用两电极体系，步骤2，配制沉积液，步骤3，进行沉积反应，步骤4，将步骤3中得到的铁铬氰化物分子磁体模板泡在饱和HgCl2溶液中，经1～2h后将附着有铁铬氰化物分子磁体的氧化铝薄膜与铝基底分离；步骤5，将步骤4中得到的附着有铁铬氰化物分子磁体的氧化铝薄膜放在含有0.1～0.3mol/L的H2CrO4和0.1～0.3mol/L的H3PO4的混合溶液中浸泡24～26小时，将氧化铝薄膜溶解掉后，即得到铁铬氰化物分子磁体纳米线阵。
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