[发明专利]利用发光二极管单片阵列来提供高分辨率图像的系统和方法在审

专利信息
申请号: 201410546737.3 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN104298078A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: N·克哈里德 申请(专利权)人: 4233999加拿大股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H05B37/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 曹瑾
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 发明涉及利用发光二极管单片阵列来提供高分辨率图像的系统和方法。提供了一种方法和装置,该方法和装置用于制造可单独寻址的发光二极管的大规模单片阵列,装配可单独寻址的发光二极管的多个这种大规模单片阵列,控制每一个单独发光二极管,以及按这样的方式装配其,即,实现针对大量单独控制的、接着可以利用投影光学系统聚焦到感光表面上的发光二极管的准确度和稳定性。另外,提供了沿彼此正交的两个轴与感光表面相对地移动这样描述的成像系统、由此暴露该感光表面的方法和装置。
搜索关键词: 利用 发光二极管 单片 阵列 提供 高分辨率 图像 系统 方法
【主权项】:
一种提供高分辨率图像的方法,该方法包括以下步骤:设置可单独寻址的发光二极管的阵列,该阵列由晶片制造;确定每一个发光二极管的光强;利用所确定的每一个发光二极管的光强来控制发光二极管发射,以在感光器上形成高分辨率图像;其中,使用支承体(612a,612b)在感光器(620)上方支撑包含透镜(604)的成像构件(602)和外壳(606),优选的,透镜是单一复杂透镜。
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