[发明专利]磷酸钇双折射晶体及其生长方法和应用在审
| 申请号： | 201410547158.0 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105568381A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 潘世烈;王颖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B15/00 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磷酸钇双折射晶体及其生长方法和应用，该晶体化学式是YPO4，属四方晶系,空间群I41/amd，晶胞参数为a=6.8947 Å，c=6.0276 Å，V=286.53 Å3，Z=4；该晶体用于红外-深紫外波段，为单轴晶体，透过范围为150-3300nm；双折射差△n=ne-no在0.18到0.22之间，采用高温熔体法（熔体提拉法、熔体顶部籽晶法）或助熔剂法生长磷酸钇大尺寸晶体。通过本发明所述方法获得的磷酸钇晶体尺寸大，生长周期短，透光范围宽，透过率高、双折射系数大，易于切割、抛光加工和保存。该晶体是宽波段双折射光学材料，可用于制作光纤隔离器、环状镜、光来置换器、分来器、格兰(Glan)偏振镜和其它偏振器件，在光学和通讯领域有重要应用。 | ||
| 搜索关键词： | 磷酸 双折射 晶体 及其 生长 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种磷酸钇双折射晶体，其特征在于该晶体化学式为YPO4，属四方晶系,空间群I41/amd，晶胞参数为a = 6.8947 Å，c= 6.0276 Å，V = 286.53 Å3，Z = 4。
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