[发明专利]具有弱电流通路的半导体元件有效
| 申请号： | 201410548552.6 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105576011B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;邱建维;朱焕平;张建凯 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有弱电流通路的半导体元件，具有栅极、源极和漏极。其中，在栅极和漏极之间包含多个绝缘层与多个第一导电型浅掺杂区，彼此交错设置，该多个第一导电型浅掺杂区提供该源极与该漏极之间一弱电流通路。当该栅极处于一相对较弱电压范围时，该弱电流通路导通；当该栅极处于一相对较强电压范围时，该弱电流通路不导通。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 通路 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种具有弱电流通路的半导体元件，其特征在于，包含：一基板；一第一导电型井区，设置于该基板上，该第一导电型井区内形成一源极、一第二导电型井区、以及一漏极；多个绝缘层与多个第一导电型浅掺杂区，沿一第一方向彼此交错设置于该第二导电型井区上方，该多个绝缘层与该多个第一导电型浅掺杂区沿一第二方向分别具有一第一端与一第二端，该第一端接近于该源极而该第二端接近于该漏极，其中该第一方向和该第二方向相交；以及一栅极，靠近该多个绝缘层的第一端，该栅极一部分位于该第一导电型井区上的一栅极氧化层上方、另一部分位于各该多个绝缘层的一部分的上方；其中，该多个第一导电型浅掺杂区提供该源极与该漏极之间沿该基板表面的一弱电流通路。
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