[发明专利]一种半导体器件及关键尺寸的测量方法有效
| 申请号： | 201410549366.4 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105514088B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 宋秀海 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及关键尺寸的测量方法。通过本发明实施例提供的半导体器件及关键尺寸的测量方法，首先在半导体器件中形成有关键尺寸测试结构，然后对形成的测试结构在相应的位置上施加电流，测量产生的电压，然后根据公式通过简单的计算即可得出关键尺寸大小，从而使得离线测量变得很容易实现。同时，对半导体工艺中的线宽侧壁不是很陡直的多晶硅宽度，也能给出一个较合理的尺寸。另外，也不需要对半导体器件进行小型化处理，能够保持硅片的完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测量 测试结构 集成电路制造 半导体工艺 离线测量 施加电流 多晶硅 硅片 侧壁 线宽 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件中形成有关键尺寸测试结构，所述关键尺寸测试结构包括：第一多晶硅线、与所述第一多晶硅线垂直交叠的第二多晶硅线，以及至少一条与所述第二多晶硅线平行且与所述第一多晶硅线电连接的第三多晶硅线，所述第一至第三多晶硅线的宽度与所述半导体器件的关键尺寸相同；所述第一多晶硅线和所述第二多晶硅线的两端分别设置有测试垫，所述第三多晶硅线未与所述第一多晶硅线电连接的一端设置有测试垫，所设置的测试垫与所在的多晶硅线电连接且暴露于所述半导体器件外部。
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