[发明专利]记忆体结构及形成记忆体结构的方法

摘要

本发明揭露一种记忆体结构及形成记忆体结构的方法。记忆体结构包含一控制单元以及一记忆单元，记忆单元电性连接至控制单元。控制单元包含一源极与一漏极；一主动层，接触源极的一部分及漏极的一部分；一栅极层；以及一栅极绝缘层，位于主动层与栅极层之间。记忆单元包含一底电极层；一顶电极层；以及一电阻切换层，电阻切换层位于底电极层以及顶电极层之间，其中电阻切换层与主动层的材质为氧化铝锌锡。本发明的功效在于，本发明主动层与电阻切换层的材质均为氧化铝锌锡，能在低温下制备并达到系统整合与减少成本等目的。

主权项

1.一种记忆体结构，其特征在于，包含一控制单元以及一记忆单元，该记忆单元电性连接该控制单元，其中：该控制单元包含：一源极与一漏极；一主动层，接触该源极的一部分及该漏极的一部分；一半导体层，位于该主动层上；一栅极层；以及一栅极绝缘层，位于该主动层与该栅极层之间；该记忆单元包含：一底电极层；一顶电极层；一电阻切换层，该电阻切换层位于该底电极层以及该顶电极层之间；以及一氧化铪层，位于该电阻切换层以及该底电极层之间，其中该电阻切换层与该主动层的材质为氧化铝锌锡，且该半导体层的材质为五环素或聚3‑己基噻吩。