[发明专利]基于重掺杂4H-SiC衬底的高温压力传感器工艺

摘要

本发明基于重掺杂4H-SiC衬底的高温压力传感器工艺，尤其涉及一种耐高温高压、敏感度高、输出信号稳定的新型宽禁带半导体电子器件的制造方法，属于宽禁带半导体器件制备技术领域。本发明包括：准备重掺杂4H-SiC衬底；制备压阻条；制备种子层；制备掩膜层；制备感应膜片；制备SiO₂扩散阻挡层；制备接触窗口；制备AlN绝缘层；制备电极；制备欧姆接触；制备保护层和引线层等步骤。本发明不用使用CVD等设备外延高掺杂浓度的p型和n型SiC外延层，减少了半导体工艺流程，提高成品率，降低生产成本。本发明制备的碳化硅高温压力传感器，能够满足高温、高压、高辐射等恶劣环境下对传感器的苛刻要求。

主权项

一种基于重掺杂4H‑SiC衬底的高温压力传感器工艺，尤其是n型重掺杂4H‑SiC衬底，其特征在于，包括如下步骤：步骤1准备4H‑SiC衬底；步骤2制备压阻条；步骤3制备种子层；步骤4制备掩膜层；步骤5制备感应膜片；步骤6制备SiO₂扩散阻挡层；步骤7制备接触窗口；步骤8制备AlN绝缘层；步骤9制备电极；步骤10制备欧姆接触；步骤11制备保护层和引线层。