[发明专利]一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201410551529.2 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104332537B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/28 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司35203 | 代理人： | 廖吉保,唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层掺杂Te。本发明可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浓度 te 掺杂 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层设置第二型限制层；其特征在于：第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层掺杂Te。
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