[发明专利]氮化物半导体结构有效
| 申请号： | 201410552714.3 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105280770B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 宣融;胡智威;詹益仁 | 申请（专利权）人： | 嘉晶电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体结构。氮化物半导体结构包括衬底、碳化硅成核层、复合缓冲层以及氮化物半导体层。碳化硅成核层位于衬底上。复合缓冲层位于碳化硅成核层上。氮化物半导体层位于复合缓冲层上。此外，所述氮化物半导体结构为无氮化铝的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物半导体 复合缓冲层 成核层 碳化硅 氮化物半导体层 衬底 半导体结构 氮化铝 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：衬底；碳化硅成核层，位于所述衬底上；复合缓冲层，位于所述碳化硅成核层上；以及氮化物半导体层，位于所述复合缓冲层上，其中所述氮化物半导体结构为无氮化铝的半导体结构，其中所述复合缓冲层包括第一缓冲层以及第二缓冲层，所述第一缓冲层接触所述碳化硅成核层，其中所述第一缓冲层包括AlxGaN层，其中0<x<1。
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