[发明专利]一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410552789.1 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104332304A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 赵建华;王海龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;H01F10/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜的方法，包括：在脱氧后的半绝缘GaAs衬底上高温生长用于平滑衬底表面的GaAs缓冲层；降低生长温度，在GaAs缓冲层上生长(In，Ga)As缓冲层；降低生长温度，在(In，Ga)As缓冲层上生长(Ga,Mn)As薄膜；在(Ga,Mn)As薄膜表面沉积一层面内易磁化的铁磁金属；在铁磁金属上生长一层Al薄膜用于防止铁磁金属氧化。利用本发明，仅通过分子束外延方法生长(In，Ga)As缓冲层在(Ga,Mn)As薄膜中引入面内张应变，使其易磁化轴垂直于表面，继而分离了铁磁金属和(Ga,Mn)As薄膜的宏观磁信号并获得了厚度大于10 nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获得 厚度 大于 10 nm 室温 铁磁性 ga mn as 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法，其特征在于，包括：在脱氧后的半绝缘GaAs衬底上高温生长用于平滑衬底表面的GaAs缓冲层；降低生长温度，在GaAs缓冲层上生长(In，Ga)As缓冲层；降低生长温度，在(In，Ga)As缓冲层上生长(Ga，Mn)As薄膜；在(Ga，Mn)As薄膜表面沉积一层面内易磁化的铁磁金属；以及在铁磁金属上生长一层Al薄膜用于防止铁磁金属氧化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410552789.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：食物切削装置
- 下一篇：与手机共用充电器的剃须刀
