[发明专利]高压垂直功率部件有效
| 申请号： | 201410553425.5 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104576724B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | S·梅纳德;G·戈蒂埃 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747;H01L21/332 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔硅 第一导电类型 衬底 圆环 绝缘 衬底接触 垂直功率 导电类型 硅衬底 上表面 外围处 下表面 穿入 | ||
【主权项】：
1.一种垂直功率部件，包括：/n第一导电类型的硅衬底；/n第二导电类型的第一阱，在所述衬底的下表面上，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；/n在所述衬底中的第一绝缘多孔硅环，在所述部件的外围边界处，所述第一绝缘多孔硅环的上表面仅与所述第一导电类型的所述衬底接触，所述第一绝缘多孔硅环与所述第一阱和所述硅衬底之间的PN结接触；/n其中所述第一绝缘多孔硅环穿入所述衬底中至大于所述第一阱的厚度的深度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学，未经意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410553425.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据处理设备和数据处理方法
- 下一篇：透镜驱动马达
- 同类专利
- 专利分类
